Maskien sijoittaminen litografiassa

Litografia edellyttää korkeaa resoluutiota ja koneen liikkeiden pitkäaikaista mittausta parhaimman tarkkuuden saavuttamiseksi. Korkeat resoluutiot mahdollistavat maskien asemoinnin nanometrin tarkkuudella Micro-Epsilonin kapasitiivisia antureita käyttäen. Niiden tyhjiön kestävä rakenne mahdollistaa antureiden ja kaapeleiden käytön ultratyhjiössä.